光刻与 High-NA（画电路的那支笔）
最近更新：2026-08-17 关联：第 6 层（半导体设备）；讲透机制见 技术长文：光刻与 High-NA；相关公司卡 ASML（唯一能做 EUV）、台积电、英特尔、应用材料、泛林、KLA。投资判断在那边，本卡不展开。
一句话瓶颈
光刻是整条产线上唯一知道"哪里该留、哪里该挖"的一步，其余工序都是盲的；而先进制程需要的 EUV 光刻机全世界只有 ASML 一家造得出。画不出来，后面几百道工序全都白搭。
当前代际与成熟度
- 现在这一代：低 NA（0.33）EUV，成熟量产；ASML 2026 年低 NA EUV 年产能约 65 台、浸润式 DUV 约 130 台，计划 2027 年各加 30% [T1·ASML Q2 2026]。
- 下一代：High-NA（0.55）EUV，量产爬坡起步——2026 年 7 月首个用 High-NA 层制造的高产量逻辑产品出货（英特尔 18A 部分层）[T1·ASML]。
- 谁能做：EUV 独家 ASML；DUV 浸润式 ASML 为主，尼康份额已边缘化；佳能退出前沿光学路线、转纳米压印。国产浸润式 DUV 2026 年起小批量交付 [T2]。
里程碑与裁决时点 ★ 每季对表用
| 里程碑（可观测变量） | 裁决时点 | 状态 | 兑现/跳票的含义 | 出处/档级 |
|---|---|---|---|---|
| High-NA 首个高产量逻辑产品出货 | 2026 年内 | 已兑现（2026-07-15，英特尔 18A 部分层） | High-NA 从装机走到真实产品 | T1·ASML 新闻稿 |
| 英特尔 14A 风险试产落地 | 2027 年内 | 待裁决 | 兑现＝High-NA 的良率账在真实产品上跑通；跳票＝拼接与套刻代价被低估 | T2 |
| 台积电是否把 High-NA 排进 A14 之后的节点 | 2027–2029 | 待裁决 | 排进＝低 NA 延寿到头；继续不排＝多重曝光比预期能撑 | T2 |
| ASML 低 NA EUV 产能 65 → 约 85 台的爬坡 | 每季财报 | 待裁决 | 低 NA 仍在扩产＝换代节奏比叙事慢 | T1·ASML 财报 |
| High-NA 年出货台数 | 每季财报 | 待裁决 | 出货节奏＝客户的成本账是否算通 | T1·ASML 财报 |
| 国产浸润式 DUV：约 5 台（2026）→ 约 20 台（2027） | 2027 年内 | 待裁决 | 台数只说明产能爬坡 | T2 |
| 中芯国际用国产浸润机跑通可接受良率的量产层 | 不定 | 待裁决 | 这一条才说明路通了——从"做出来"到"能量产"隔着的是良率 | T2 |
技术因果：卡住谁 / 利好谁
- 卡住谁：所有先进逻辑（N2/18A/14A 及以后）与 HBM 用的先进 DRAM，关键层必须过 EUV——这不是成本问题，是能不能做出来的问题。中国先进制程被卡的正是这一段。
- 利好谁：ASML（EUV 唯一，且光源自有、光学被股权绑定）；制程越难，沉积/刻蚀/量测的工序密度越高（AMAT、泛林、KLA）。
📌 对投资的含义（一行，详见公司卡）
→ 光刻是全链唯一有导航的一步，EUV 是它唯一的下一代，而 EUV 只有一家能做；High-NA 不是技术强弱之争，是成本账之争，现在处在盈亏线附近。 详细估值/多空/盯什么见 ASML、台积电、英特尔。
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- 2026-08-17 建卡。与技术长文《光刻与 High-NA》配套：机制、技术史、解剖图全部住长文，本卡只留对表用的里程碑（宪法 v1.16 立的分工）。此前全库对 EUV 的全部内容是设备层卡里的两行定性。
来源：ASML Q2 2026 财报（产能数字）、High NA 里程碑新闻稿；其余各条与完整来源清单见技术长文文末。
🔗 被 4 篇引用
谁的论证依赖这一页。引用数少 = 这页还没被库消化（或该并掉）。
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